Intel fertigt ersten Penryn-Prototypen in 45 nm

Wie die Nachrichtenagentur Reuters berichtet, hat Intel in diesen Tagen die ersten fertigen Prototypen des neuen „Penryn“-Prozessors unter Nutzung eines neuen Fertigungsverfahren mit 45 nm breiten Strukturen hergestellt. Ort der Herstellung war die Entwicklungs-Fabrik D1D in Hillsboro im US-amerikanischen Oregon. Neben dem eigentlichen Die-Shrink des Penryn-Kerns auf jetzt nur noch 45 nm halten zusammen mit der neuen Fertigungstechnologie weitere Neuerungen Einzug. So setzt man beim Penryn erstmals "High K"-Dielektrika als Grenzschicht zwischen Gate und Kanal ein, die schon länger bei Grafikchips von ATi und nVidia genutzt werden ...